一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110411123.0
IPC分类号：C04B41/87;C04B35/80;C04B35/84
申请日期：
2011-12-10
申请人：
西北工业大学

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法律信息

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专利名称	一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法
申请号	CN201110411123.0	申请日期	2011-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-06-27	公开/公告号	CN102515870A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/87 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/85 用无机材料〔4〕 C04B41/87 陶瓷〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;8;7;;;C;0;4;B;3;5;/;8;0;;;C;0;4;B;3;5;/;8;4查看分类表>
申请人	西北工业大学	申请人地址	陕西省西安市友谊西路127号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北工业大学	当前权利人	西北工业大学
发明人	王一光;皮慧龙;范尚武;成来飞;张立同
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	王鲜凯

摘要

本发明涉及一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法，通过真空压力浸渍法将B4C和C有机先驱体引入C/SiC复合材料中，固化后在热处理将C有机前驱体裂解并打开材料中被其封闭气孔。然后通过反应熔体渗透法在温度高于硅锆合金条件下利用硅锆合金与B4C、C反应原位生成SiC、ZrB2、ZrC，制备C/SiC-ZrB2-ZrC复合材料。本发明利用真空压力浸渍法在C/SiC复合材料中引入B4C和C有机先驱体，利用反应熔体渗透法使硅锆合金与B4C、C反应原位生成SiC、ZrB2、ZrC，生成的ZrB2、ZrC晶粒细小、体积含量高，有效的提高了抗烧蚀性能和力学性能。

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