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创建具有富铟表面的砷化铟镓有源沟道的装置和方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480081309.6
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-09-19
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称创建具有富铟表面的砷化铟镓有源沟道的装置和方法
申请号CN201480081309.6申请日期2014-09-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-04-19公开/公告号CN106575672A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人G·A·格拉斯;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;T·加尼;G·杜威;W·拉赫马迪;M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英;陈松涛
摘要
具有砷化铟镓有源沟道的晶体管器件、以及用于制造该砷化铟镓有源沟道的工艺,当制造鳍状物形状的有源沟道(例如在三栅极或全包围栅(GAA)器件中使用的那些)时,该砷化铟镓有源沟道实现了提高的载流子迁移率。在一个实施例中,砷化铟镓材料可以设置在窄沟槽中,该窄沟槽可能导致具有富铟表面和富锗中心部分的鳍状物。这些富铟表面将邻接晶体管的栅极氧化物并且可能得到相对于传统的同质组分砷化铟镓有源沟道的高电子迁移率和提高的开关速度。

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