一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610970630.0
IPC分类号：G06F17/22;G06F17/50
申请日期：
2016-10-28
申请人：
上海空间电源研究所

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著录项信息

专利名称	一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法
申请号	CN201610970630.0	申请日期	2016-10-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-10	公开/公告号	CN106649216A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/22 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/20 处理自然语言数据的（语言分析或综合入G10L）〔6〕 G06F17/21 文本处理（G06F 17/27、G06F 17/28优先）〔6〕 G06F17/22 利用代码进行操作或寄存的，例如在文本字符的序列中的〔6〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;2;2;;;G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	上海空间电源研究所	申请人地址	上海市闵行区东川路2965号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海空间电源研究所	当前权利人	上海空间电源研究所
发明人	张玮;陆宏波;李欣益;张梦炎;张华辉;杨丞;陈杰;张建琴;郑奕
代理机构	上海信好专利代理事务所（普通合伙）	代理人	暂无

摘要

一种对化合物半导体器件生长程序的文件转换方法，按照语法规则分别读取化合物半导体器件生长程序文件与各层材料参数文件，同时结合预设的工艺文件与数值仿真分析控制参数生成适合数值仿真分析软件的专属文件，极大地提高了器件结构文件生成的便利性、可靠性、可维护性，同时使得原位分析得以进行，可以应用在各种化合物半导体器件结构的数值模拟与分析中，诸如多结太阳电池、微波器件、光电探测器、激光器等。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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