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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201280036061.2
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47
  • 申请日期:
    2012-07-31
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN201280036061.2申请日期2012-07-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-04-02公开/公告号CN103703565A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三菱电机株式会社当前权利人三菱电机株式会社
发明人川上刚史;中木义幸;藤井善夫;渡边宽;中田修平;海老原洪平;古川彰彦
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人于丽
摘要
本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层,具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备:作为第2导电类型的活性区域的基极2,形成于第1导电类型的半导体层表层,构成半导体元件;作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11~保护环16),在半导体层表层,以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成;以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18,被埋入到半导体层表层,连接多个保护环11~保护环16的底部中的至少两个。

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