半导体存储器设备、存储器系统及错误校正的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610381950.2
IPC分类号：G11C7/10;G11C29/56
申请日期：
2016-06-01
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体存储器设备、存储器系统及错误校正的方法
申请号	CN201610381950.2	申请日期	2016-06-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-07	公开/公告号	CN106205663A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/10 输入/输出〔I/O〕数据接口装置，例如，I/O数据控制电路，I/O数据缓冲器（电平转换电路一般入H03K19/0175）〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;1;0;;;G;1;1;C;2;9;/;5;6查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	车相彦;郑会柱;姜郁成;朴哲佑
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	暂无

摘要

公开了半导体存储器设备、存储器系统及错误校正的方法。半导体存储器设备能够在半导体存储器设备外部检测半导体存储器设备中生成的误校正比特。所述半导体存储器设备可以基于从外部接收到的第一数据生成第一检查比特；将包括第一数据和第一检查比特的纠错码(ECC)码字划分到多个ECC码字组；以及将由包括在第一ECC码字组中的错误比特所引起的误校正比特布置在另一ECC码字组中而不是第一ECC码字组中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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