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基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110333526.1
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2021-03-29
  • 申请人:
    天津理工大学
著录项信息
专利名称基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法
申请号CN202110333526.1申请日期2021-03-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113241404A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人天津理工大学申请人地址
天津市西青区宾水西道391号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津理工大学当前权利人天津理工大学
发明人张楷亮;单欣;王芳;胡凯;林欣;赵轩宇;吴泽宇;李微
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司代理人刘书元
摘要
本发明公开了一种二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法,涉及微电子技术领域,包括上电极层、下电极层、功能层,功能层材料位于上电极层和下电极层之间。其中,所述功能层又由介质层I、介质层II、依次堆叠构成;所述介质层I为二维氧化钼(α‑MoO3),介质层II为二维硫化钼(MoS2)的半导体材料。与现有技术相比,本发明通过叠层方式形成的自选通器件在不扩大占用面积的情况下,解决了交叉集成阵列中的串扰问题;介质层Ⅰ与介质层Ⅱ的堆叠结构实现了自选通性能,显示出良好的非线性特性,其非线性度可以达到105,微缩性极强,工艺简单,节约成本。

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