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锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380043627.9
  • IPC分类号:C01G17/00;C01B6/00;B01J19/18
  • 申请日期:
    2013-08-20
  • 申请人:
    奥瑟亚新材料股份有限公司
著录项信息
专利名称锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法
申请号CN201380043627.9申请日期2013-08-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-05-13公开/公告号CN104619644A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G17/00IPC分类号C;0;1;G;1;7;/;0;0;;;C;0;1;B;6;/;0;0;;;B;0;1;J;1;9;/;1;8查看分类表>
申请人奥瑟亚新材料股份有限公司申请人地址
韩国庆尚北道荣州市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开新材料有限公司当前权利人爱思开新材料有限公司
发明人李太熙;李源镐;权炳宽
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人孙昌浩;韩明花
摘要
本发明涉及一种锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法。本发明尤其涉及一种如下的锗烷气体制备装置及利用其制备单锗烷气体的方法:其在制备单锗烷气体时,利用包含微结构通道的制造装置而在短时间内混合反应物质,并除去所产生的反应热,从而可以将单锗烷气体稳定地大量生产。根据本发明,可轻易控制锗烷气体大量产生时的反应温度以及压力的急剧上升。因此,有利于大规模且高产率地生产单锗烷气体。

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