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具有改进的裂纹防护的半导体晶片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810003247.3
  • IPC分类号:H01L21/78;H01L27/02;H01L23/00
  • 申请日期:
    2008-01-28
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称具有改进的裂纹防护的半导体晶片
申请号CN200810003247.3申请日期2008-01-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-08-06公开/公告号CN101236920
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人恩智浦美国有限公司当前权利人恩智浦美国有限公司
发明人叶兴强;卢威耀;陈兰珠
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人秦晨
摘要
一种制造用于切片的半导体晶片的方法,包括提供半导体晶片,该晶片包括基片和位于基片上的形成单元片区域结构的多个上层。设置该结构目的是通过用于切片工具的路径将相邻的单元片区域分离开来。在每个路径内,制造一对被分隔开的线。每个线限定各自路径的一个切割边缘并且具有在晶片顶表面和基片之间延伸的至少一个沟槽。用应力吸收材料填充每个沟槽,用于在切片过程中降低单元片上由单元片工具诱发的应力。

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