在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件

发明专利无效专利

申请号：
CN00820065.3
IPC分类号：--
申请日期：
2000-12-11
申请人：
克里公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件
申请号	CN00820065.3	申请日期	2000-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-10	公开/公告号	CN1461497
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	克里公司	申请人地址	美国北卡罗来纳州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	克里公司	当前权利人	克里公司
发明人	R·辛;A·K·阿加瓦尔;S·－H·亚
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈景峻;梁永

摘要

提供一种在具有一般为第一导电类型的第一层碳化硅和一般为与第一导电类型相反的第二导电类型的第二层碳化硅的半导体结构中制造自对准双极结晶体管的方法。该方法包括在第二碳化硅层中形成柱状物，该柱状物具有侧壁并限定第二层的相邻水平表面；在包括侧壁和水平表面的第二半导体层上形成具有预定厚度的氧化物层。形成氧化物层之后，各向异性刻蚀与侧壁相邻的一部分水平表面上的氧化物层，而至少一部分氧化物层留在留在侧壁上，由此露出一部分水平表面。然后用第一导电类型的掺杂剂掺杂水平表面的露出部分下面的一部分第二层，以便在第二层中形成掺杂阱区，该阱区与侧壁相隔的距离由氧化物层的厚度确定。还公开了得到的器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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