紫外半导体传感器装置和测量紫外辐射的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480013024.9
IPC分类号：G01J1/42
申请日期：
2014-03-07
申请人：
ams有限公司

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专利名称	紫外半导体传感器装置和测量紫外辐射的方法
申请号	CN201480013024.9	申请日期	2014-03-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-23	公开/公告号	CN105190260A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J1/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J1/00 光度测定法，例如照相的曝光表（分光光度测定法入G01J 3/00；专用于辐射高温测定法的入G01J 5/00） G01J1/42 采用电辐射检测器（光学或机械部件入G01J 1/04；与基准光或基准电参数作比较的入G01J 1/10）	IPC分类号	G;0;1;J;1;/;4;2查看分类表>
申请人	ams有限公司	申请人地址	奥地利乌恩特普雷姆斯塔特恩变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ams有限公司	当前权利人	ams有限公司
发明人	尤金·G·迪施克;托德·毕晓普;马里奥·曼宁格
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	杜诚;陈炜

摘要

光电二极管(2)和另一光电二极管(3)被布置在衬底(1)中在主表面(10)处或主表面(10)附近。以这样的方式来形成和布置光电二极管：使得在入射紫外辐射(26)的情况下，来自光电二极管(2)的电信号大于来自另一光电二极管(3)的另一电信号。特别地，第一光电二极管可以比另一光电二极管对紫外辐射更敏感。通过另一电信号来衰减来自该光电二极管的电信号，从而产生主要测量入射紫外辐射的电信号。可以通过内部地使用集成电路(25)或外部地使用单独装置来实现来自第一光电二极管的电信号的衰减。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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