记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010244892.1
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/08
申请日期：
2010-07-27
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法
申请号	CN201010244892.1	申请日期	2010-07-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102347076A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	黄竣祥;蔡文哲
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种记忆元件和与非门快闪记忆体的选取记忆热载子注射方法。本发明所描述的记忆元件，包含多个记忆胞串联安排于一半导体主体中，例如与非门串列中，具有多条字元线。一所选取记忆胞借由热载子注射进行程序化，这些热载子是使用提升通道电位以建立加热电场跨过此选取记忆胞的通道而产生。提升通道热载子注射可以借由阻挡与非门串列中所选取记忆胞的第一侧至第二侧的电流而达成，以借由电容性耦合将一第一半导体主体区域自我压升至一自我压升电压，且偏压第二半导体主体区域至一参考电压阶级，施加大于通道热载子注射能障阶级的一程序化电位置选取记忆胞以致能载子自第二半导体主体区域留置索取记忆胞以导致热载子注射的产生。

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