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基于高斯随机场的岩土体结构随机裂隙模拟方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911065984.0
  • IPC分类号:G06F30/20;G06F111/10
  • 申请日期:
    2019-11-04
  • 申请人:
    武汉大学
著录项信息
专利名称基于高斯随机场的岩土体结构随机裂隙模拟方法及装置
申请号CN201911065984.0申请日期2019-11-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-02-28公开/公告号CN110851972A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F30/20IPC分类号G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;G;0;6;F;1;1;1;/;1;0查看分类表>
申请人武汉大学申请人地址
湖北省武汉市武昌区八一路299号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉大学当前权利人武汉大学
发明人刘勇;王满玉;李典庆
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人张宇
摘要
本发明公开了一种基于高斯随机场的岩土体结构随机裂隙模拟方法及装置,属于岩土裂隙结构模拟领域,利用ABAQUS将材料参数与场变量进行关联,通过UFIELD子程序传递参数,并利用Fortran语言在子程序中编写程序生成二维高斯随机场,根据随机值是否在定义的裂隙区域范围内来辨别随机介质的类别,再对不同介质赋予不同的强度值。可通过控制相关长度、旋转角度及相对面积比等参数来表征裂隙在岩土工程结构中的真实形态,操作简便,有效节约了计算时间和资源。本发明能够将ABAQUS软件子程序优点与随机场的表征高效结合,可以根据实际情况灵活控制组成裂隙的关键因素,普适性较高,实现了随机裂隙在岩土结构中的可能存在状态。

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