分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810905896.6
IPC分类号：G01R31/28;H01S5/00
申请日期：
2018-08-10
申请人：
武汉盛为芯科技有限公司

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著录项信息

专利名称	分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法
申请号	CN201810905896.6	申请日期	2018-08-10
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-22	公开/公告号	CN109375088A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R31/28 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置（在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L 21/66；线路传输系统的测试入H04B 3/46） G01R31/28 电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22）	IPC分类号	G;0;1;R;3;1;/;2;8;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	武汉盛为芯科技有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路20号武汉普天科技园2大楼一层103-2室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉盛为芯科技有限公司	当前权利人	武汉盛为芯科技有限公司
发明人	邱德明;张振峰;杨国良
代理机构	武汉维创品智专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	余丽霞

摘要

本发明公开分布反馈半导体激光器芯片测试过程中降低温升影响方法，包括以下步骤：连续施加脉冲电流Ii；脉冲电流0＜Ii≤100mA；施加脉冲电流Ii的时间间隔5‑20μs，脉冲电流Ii占空比为50％；施加脉冲电流时，采集分布反馈半导体激光器芯片在各个脉冲电流Ii的光功率，记录每个脉冲电流Ii下的光功率P；根据光功率P记录分布反馈半导体激光器芯片的发光电流阈值Ith；将脉冲电流Ii时间间隔设置为5‑20μs，选择测量误差最小作为脉冲电流Ii的时间间隔标准值，用于每次测试所施加脉冲电流Ii时间间隔。本发明在持续脉冲供电过程中，通过在分布反馈半导体激光器芯片施加低电平的间隙使得分布反馈半导体激光器芯片散热，有效降低了温度升高给测试结果带来的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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