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一种氮化物LED结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110095027.X
  • IPC分类号:H01L33/06H01L33/00
  • 申请日期:
    2011-04-15
  • 申请人:
    映瑞光电科技(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种氮化物LED结构及其制备方法
申请号CN201110095027.X申请日期2011-04-15
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2011-09-14公开/公告号CN102185060A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H01L33/06;H01L33/00查看分类表>
申请人映瑞光电科技(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区临港产业区新元南路555号金融中心2*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人映瑞光电科技(上海)有限公司当前权利人映瑞光电科技(上海)有限公司
发明人于洪波
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明公开了一种氮化物LED结构,其多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度梯度变化,从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中,提高了载流子在有源区中分布的均匀性,进一步提高了器件的内量子效率和发光效率;同时,还公开了一种氮化物LED结构的制备方法,通过梯度改变多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度,使得靠近P型空穴注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度大,靠近N型电子注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度小,从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中,提高了载流子在有源区中分布的均匀性,进一步提高了器件的内量子效率和发光效率。

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