一种三维结构硫氮共掺杂多级孔石墨烯及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510018915.X
IPC分类号：C01B31/04
申请日期：
2015-01-14
申请人：
北京化工大学

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专利名称	一种三维结构硫氮共掺杂多级孔石墨烯及其制备方法
申请号	CN201510018915.X	申请日期	2015-01-14
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-04-08	公开/公告号	CN104495833A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/04 （转入C01B 32/182-C01B 32/23）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人	北京化工大学	申请人地址	北京市朝阳区北三环东路15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京化工大学	当前权利人	北京化工大学
发明人	杨文胜;王俊;路艳罗;陈旭
代理机构	北京华谊知识产权代理有限公司	代理人	刘月娥

摘要

一种三维结构硫氮共掺杂多级孔石墨烯及其制备方法，属于碳纳米材料技术领域。石墨烯由径向尺寸为100?300纳米，厚度为3?8纳米的石墨烯纳米片构成，交叉连接形成具有2?50纳米介孔及50纳米以上大孔的三维结构，石墨烯纳米片上具有小于2纳米的微孔；硫氮共掺杂石墨烯纳米片中硫元素含量为1?4at.％，氮元素含量为5?15at.％且吡啶氮和吡咯氮含量大于90％，硫和氮位于石墨烯纳米片的边缘或石墨烯纳米片上微孔的边缘。制备方法：将含硫氮有机小分子的阴离子通过水热反应插入层状双羟基复合金属氧化物层间以获得插层结构前驱体，再经高温煅烧及酸化反应获得石墨烯。优点在于可以调控杂原子掺杂量、氮原子的掺杂类型及位置，并工艺简单，生产成本低。

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