在金属氧化物基底上制造纳米结构的方法和薄膜器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200980118172.6
IPC分类号：C30B25/02;C30B29/60
申请日期：
2009-03-19
申请人：
综合工科学校;科学研究国家中心;原子能委员会

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引证文献

著录项信息

专利名称	在金属氧化物基底上制造纳米结构的方法和薄膜器件
申请号	CN200980118172.6	申请日期	2009-03-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-27	公开/公告号	CN102037165A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;6;0查看分类表>
申请人	综合工科学校;科学研究国家中心;原子能委员会	申请人地址	法国帕莱索变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	综合工科学校,科学研究国家中心,原子能委员会	当前权利人	综合工科学校,科学研究国家中心,原子能委员会
发明人	P-J·阿莱;P·罗卡伊卡巴罗卡斯
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	林柏楠;彭飞

摘要

本发明涉及在金属氧化物基底(2)上制造纳米结构(1)的方法，包括下述步骤：a)在金属氧化物基底(2)上形成金属聚集体(3)；和b)在覆盖有金属聚集体的金属氧化物基底(2)上使纳米结构(1)气相生长，在一种或多种前体气体存在下加热该基底，且纳米结构(1)的气相生长被金属聚集体(3)催化。根据本发明，金属聚集体形成阶段a)包括通过还原性等离子体处理将所述金属氧化物基底的表面还原的操作，致使在基底(2)上形成金属聚集体(3)的微滴，金属聚集体形成阶段a)和纳米结构生长阶段b)在单个共用等离子体反应室(4)中接续进行，纳米结构生长直接在金属聚集体(3)的微滴上进行。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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