一种用于硅片刻蚀的载具

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020475111.9
IPC分类号：H01L21/673;H01L21/67
申请日期：
2020-04-03
申请人：
苏州东辉光学有限公司

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著录项信息

专利名称	一种用于硅片刻蚀的载具
申请号	CN202020475111.9	申请日期	2020-04-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/673 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/673 使用专用的载体的〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;3;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	苏州东辉光学有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区唯亭葑亭大道439号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州东辉光学有限公司	当前权利人	苏州东辉光学有限公司
发明人	苏奎;王秀云;王正兴;秦明海
代理机构	广州市红荔专利代理有限公司	代理人	关家强

摘要

本实用新型公开了一种用于硅片刻蚀的载具，包括：上盖、托底、第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体；上盖设置在托底的上方，托底上设置有通孔；第一侧体、第二侧体、第三侧体和第四侧体设置在上盖和托底之间，第一侧体和第三侧体相对设置，第二侧体和第四侧体相对设置；第一侧体和第三侧体设置为镂空结构，第二侧体和第四侧体的相向面设置有插槽，第二侧体上插槽的位置与第四侧体上插槽的位置相适配，硅片插入插槽内水平放置。通过上述方式，本实用新型能够在刻蚀过程中水平放置硅片，提高硅片表面的光滑度和平整性，减少硅片槽内的异物残留，有效保证刻蚀效果，避免二次刻蚀，提高刻蚀效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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