n多层纳米线为传感器芯片制备的巨磁电阻位移传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN201310618729.0
IPC分类号：G01B7/02
申请日期：
2013-11-27
申请人：
天津大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	n多层纳米线为传感器芯片制备的巨磁电阻位移传感器
申请号	CN201310618729.0	申请日期	2013-11-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-26	公开/公告号	CN103604361A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B7/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B7/00 以采用电或磁的方法为特征的计量设备 G01B7/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 7/004，G01B 7/12优先）〔6〕	IPC分类号	G;0;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号天津大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	王宏智;张卫国;姚素薇
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	王丽

摘要

本发明涉及利用[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线为传感器芯片制备的巨磁电阻位移传感器；包括传感器芯片、亥姆霍兹线圈、直流电源、小磁铁、直流数字电压表、直尺；传感器芯片材料是多层纳米线[NiFe/Cu/Co/Cu]n，NiFe层与Cu/Co/Cu层交替排列组成，直径为80～120nm。传感器芯片采用四个完全相同的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线阵列构成桥式构型。传感器芯片的最佳位置为两个亥姆霍兹线圈轴线的中点，纳米线的轴线方向与磁力线的方向平行。本发明的巨磁电阻位移传感器灵敏度高、功耗小、成本低，可应用在材料的杨氏模量测量、金属热胀系数测量、水面液位检测、磁性材料定位等方面。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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