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固态二次电池的制造装置及固态二次电池的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080031402.1
  • IPC分类号:H01M10/0562;H01M10/0585
  • 申请日期:
    2020-04-16
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称固态二次电池的制造装置及固态二次电池的制造方法
申请号CN202080031402.1申请日期2020-04-16
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-30公开/公告号CN113728481A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/0562IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;0;5;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;8;5查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人栗城和贵;田岛亮太;米田祐美子;山崎舜平
代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司代理人申发振
摘要
本发明的课题之一是实现一种能够使固态二次电池的制造全自动化的制造装置。本发明的制造装置包括掩模对准室、与掩模对准室相连的第一传送室、与第一传送室相连的第二传送室、与第二传送室相连的第一成膜室、与第一传送室相连的第三传送室以及与第三传送室相连的第二成膜室,第一成膜室具有通过溅射法形成正极活性物质层或负极活性物质层的功能,第二成膜室具有进行锂的有机配合物与SiOx(0

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