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一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510027551.8
IPC分类号：H01L21/76;H01L21/311
申请日期：
2005-07-06
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法
申请号	CN200510027551.8	申请日期	2005-07-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-01-10	公开/公告号	CN1893013
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/76 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/76 组件间隔离区的制作〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	周贯宇
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种改进器件漏电表现的浅沟道隔离形成方法，除包括浅沟道隔离刻蚀、去胶、RCA清洗、沟道氧化、高密度等离子体沉积等步骤外，还在去胶后，RCA清洗进行沟道氧化前，先进行BOE清洗和后进行氮化硅腐蚀步骤。本发明工艺使STI边角更圆滑，改进STI漏电和电学性能，从而增强器件的可靠性。

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