蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610572926.7
IPC分类号：B24B37/04;B24B37/10
申请日期：
2016-07-20
申请人：
华侨大学;福建晶安光电有限公司

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著录项信息

专利名称	蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法
申请号	CN201610572926.7	申请日期	2016-07-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-14	公开/公告号	CN106217235A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;B;2;4;B;3;7;/;1;0查看分类表>
申请人	华侨大学;福建晶安光电有限公司	申请人地址	福建省泉州市丰泽区城东变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华侨大学,福建晶安光电有限公司	当前权利人	华侨大学,福建晶安光电有限公司
发明人	方从富;徐西鹏;胡中伟;陈瑜;谢斌晖;陈铭欣
代理机构	厦门市首创君合专利事务所有限公司	代理人	杨依展

摘要

本发明公开了一种蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，它通过对双面研磨后的晶片进行第一次腐蚀‑粗抛‑第二次腐蚀‑精抛复合加工，即先通过强酸腐蚀以在较短时间去除双面研磨所产生的损伤层，接着通过粗抛较短时间，以在晶片表面重新产生一层较小的损伤层，再次通过强酸腐蚀后，以使晶片表面已较为光滑，最后只需通过较短时间的精抛即可获得符合要求的超光滑、无损伤的晶片表面，能够快速获得超光滑无损伤的晶片表面，大大提高了蓝宝石晶片抛光效率，可在提高加工速率的前提下降低生产成本，同时提高产品优良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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