0-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810024192.4
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00;G01L1/18
申请日期：
2008-05-20
申请人：
无锡市纳微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	0-100Pa单片硅基SOI高温低漂移微压传感器及其加工方法
申请号	CN200810024192.4	申请日期	2008-05-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-22	公开/公告号	CN101289160
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;1;L;1;/;1;8查看分类表>
申请人	无锡市纳微电子有限公司	申请人地址	江苏省淮安市淮阴区（工业园区）南昌路６０５号三层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	淮安纳微传感器有限公司	当前权利人	淮安纳微传感器有限公司
发明人	沈绍群
代理机构	无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙）	代理人	顾吉云

摘要

本发明为0～100Pa单片硅基SOI超低微压传感器。其具有较高的灵敏度和线性度，耐高温、工艺简单，工艺一致性好，生产成本低、适宜于大规模生产，为此，本发明还提供了传感器的加工方法。其芯片包括一个N型或P型硅衬底(1)，在硅衬底的两面覆盖有绝缘层(2)，绝缘层(2)表面淀积多晶硅层(3)；在多晶硅层表面为二氧化硅层(4)；二氧化硅层(4)表面为多晶硅薄膜层；多晶硅薄膜层生成多晶硅力敏电阻(5)，掺浓硼的多晶硅内引线(6)与电阻(5)连接；在多晶硅内引线(6)表面覆盖铝引线(7)；芯片背面具有方形开口(10)；取单晶硅作衬底(1)，然后在衬底通过光刻、淀积、离子束机注入、退火处理、通干氧-湿氧-干氧、光刻和TMAH湿法腐蚀或RIE干法刻蚀技术、光刻、浓硼扩散、正面蒸镀铝膜、引出焊脚、湿法腐蚀等工艺加工。

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