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半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010311746.X
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/265;H01L21/336
  • 申请日期:
    2020-04-20
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其形成方法
申请号CN202010311746.X申请日期2020-04-20
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-10-22公开/公告号CN113540241A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人赵猛
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人徐文欣
摘要
一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:基底,所述基底内具有掺杂的漂移区和掺杂的体区,且所述漂移区的导电类型和所述体区的导电类型相反;位于所述基底上的栅极结构,部分所述栅极结构位于所述漂移区上,且部分所述栅极结构位于所述体区上;位于邻近所述栅极结构的部分所述漂移区表面的阻挡层;位于所述基底内或阻挡层内的掺杂层,所述掺杂层位于所述阻挡层和漂移区相接触的界面处,且所述掺杂层内具有修复离子。所述修复离子能够和阻挡层存在的悬挂键结合,有利于提高形成的半导体结构耐高压性。

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