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侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法及其补偿方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910159686.1
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2019-03-04
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法及其补偿方法
申请号CN201910159686.1申请日期2019-03-04
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-07-12公开/公告号CN110007566A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人杨尚勇;黄永发
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明涉及侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法,涉及集成电路制造技术,包括:S1:提供一晶圆,晶圆上包括多个切割道;S2:设计多个图形,将多个所述图形分别放置在位于晶圆中心区域的切割道上及位于晶圆边缘区域的切割道上;S3:对步骤S2提供的晶圆进行光刻曝光;以及S4:测量曝光后位于晶圆边缘区域的切割道上的所述图形的尺寸相对于位于晶圆中心区域的切割道上的所述图形的尺寸的变化量,进而得到晶圆中心与边缘之间的聚焦变化量,以在开发初期,提早侦测出晶圆中心与边缘之间的聚焦变化量。

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