一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910863085.9
IPC分类号：C11D1/83;C11D3/04;C11D3/30
申请日期：
2019-09-12
申请人：
河北工业大学

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著录项信息

专利名称	一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法
申请号	CN201910863085.9	申请日期	2019-09-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-22	公开/公告号	CN110484386A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C11D1/83 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C11 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛 C11D 洗涤剂组合物；用单一物质作为洗涤剂；皂或制皂；树脂皂；甘油的回收 C11D1/00 主要以表面活性化合物为基料的洗涤组合物；使用这些化合物作为洗涤剂 C11D1/66 非离子型化合物 C11D1/83 非离子型化合物与阴离子型化合物的混合物	IPC分类号	C;1;1;D;1;/;8;3;;;C;1;1;D;3;/;0;4;;;C;1;1;D;3;/;3;0查看分类表>
申请人	河北工业大学	申请人地址	天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北工业大学	当前权利人	河北工业大学
发明人	高宝红;王玄石;檀柏梅;王辰伟;刘玉岭
代理机构	天津翰林知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赵凤英

摘要

本发明为一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的0.3％‑2％；阴离子表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％‑1.5％；清洗剂的pH值为9‑10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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