首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

剥离方法及柔性装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780024764.6
  • IPC分类号:H01L21/336H01L21/02H01L27/12H01L29/786H01L51/50H05B33/10
  • 申请日期:
    2017-04-11
  • 申请人:
    株式会社半导体能源研究所
著录项信息
专利名称剥离方法及柔性装置的制造方法
申请号CN201780024764.6申请日期2017-04-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-12-21公开/公告号CN109075079A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H01L21/336;H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10查看分类表>
申请人株式会社半导体能源研究所申请人地址
日本神*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所当前权利人株式会社半导体能源研究所
发明人山崎舜平;谷中顺平;保本清治;大野正胜;安达广树
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人侯颖媖;钱慰民
摘要
提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层,通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层,以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层,在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管,在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层,对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光,将晶体管及导电层与形成用衬底分离。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供