剥离方法及柔性装置的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201780024764.6
IPC分类号：H01L21/336H01L21/02H01L27/12H01L29/786H01L51/50H05B33/10
申请日期：
2017-04-11
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	剥离方法及柔性装置的制造方法
申请号	CN201780024764.6	申请日期	2017-04-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-21	公开/公告号	CN109075079A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H01L21/336;H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;谷中顺平;保本清治;大野正胜;安达广树
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	侯颖媖;钱慰民

摘要

提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。

一种医用转运床

发明授权

剥离方法及柔性装置的制造方法

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