一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201921656034.0
IPC分类号：C30B11/00;C30B29/42
申请日期：
2019-09-30
申请人：
山西中科晶电信息材料有限公司

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专利名称	一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置
申请号	CN201921656034.0	申请日期	2019-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;2查看分类表>
申请人	山西中科晶电信息材料有限公司	申请人地址	山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山西中科晶电信息材料有限公司	当前权利人	山西中科晶电信息材料有限公司
发明人	柴晓磊;梁李虎;冯江峰
代理机构	北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	申绍中

摘要

本实用新型涉及半导体制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，包括PBN坩埚、石英管、加热器，石英管放置在炉芯上，石英管与炉芯之间设置有保温支撑，炉芯内设置有玻璃棒；PBN坩埚与石英管设置在保温装置内，保温装置为下部开口的中空筒状结构，保温装置内壁镶嵌有加热器，通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；在石英管与坩埚之间设置有保温支撑，阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置，易生长出合格单晶，孪晶率下降至20%，提高晶体生长效率，提高经济效益。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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