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一种半导体器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110792961.0
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2021-07-14
  • 申请人:
    苏州汉天下电子有限公司;绍兴汉天下微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件及其制作方法
申请号CN202110792961.0申请日期2021-07-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2021-08-13公开/公告号CN113257662A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人苏州汉天下电子有限公司;绍兴汉天下微电子有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢208室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州汉天下电子有限公司,绍兴汉天下微电子有限公司当前权利人苏州汉天下电子有限公司,绍兴汉天下微电子有限公司
发明人王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友
代理机构北京允天律师事务所代理人李建航
摘要
本发明实施例提供了一种半导体器件及其制作方法,该方法包括:在衬底上依次沉积第一掩膜层和第二掩膜层,对第一掩膜层和第二掩膜层进行刻蚀,形成暴露出衬底的凹槽,在凹槽暴露出的衬底以及第二掩膜层上形成金属层,并去除第一掩膜层、第二掩膜层以及第二掩膜层上的金属层,保留凹槽暴露出的衬底上的金属层。由于第一掩膜层和第二掩膜层是采用沉积工艺制作在衬底上的薄膜层,而并不是光刻胶层,因此,即便后续形成金属层的沉积工艺温度过高,也不会对第一掩膜层和第二掩膜层产生影响,即采用沉积工艺形成的第一掩膜层和第二掩膜层对金属层沉积温度要求不高,从而可以降低金属层的沉积难度。

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