可提高光效的LED外延片及其生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610580873.3
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12
申请日期：
2016-07-21
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

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专利名称	可提高光效的LED外延片及其生长方法
申请号	CN201610580873.3	申请日期	2016-07-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-16	公开/公告号	CN106129193A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市白露塘有色金属产业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	林传强
代理机构	长沙七源专利代理事务所（普通合伙）	代理人	郑隽;周晓艳

摘要

本发明提供一种可提高光效的LED外延片生长方法，包括生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长N型GaN层、生长多周期量子阱发光层、生长GaN:Mg层组、生长P型GaN接触层等步骤；GaN:Mg层组包括1‑80个GaN:Mg单层，GaN:Mg单层包括低温条件下生长的第一GaN:Mg层和高温条件下生长的第二GaN:Mg层。本发明还提供一种采用上述方法获得的可提高光效的LED外延片。本发明将传统的P型GaN层设计为高低温交替生长的GaN:Mg层组，通过低温生长，提高Mg浓度，提供较多空穴，又通过高温生长，提高材料的结晶质量，提高空穴迁移率，降低LED芯片的工作电压，提高LED芯片的发光效率。

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