一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710010518.3
IPC分类号：C04B41/85;B82B3/00;H01L21/205;H01J9/02
申请日期：
2007-03-01
申请人：
中国科学院金属研究所

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专利名称	一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法
申请号	CN200710010518.3	申请日期	2007-03-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-09-03	公开/公告号	CN101255064
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B41/85 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B41/00 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理（冷釉料之外的釉料入C03C 8/00）〔3〕 C04B41/80 仅对陶瓷的〔4〕 C04B41/81 涂覆或浸渍〔4〕 C04B41/85 用无机材料〔4〕	IPC分类号	C;0;4;B;4;1;/;8;5;;;B;8;2;B;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	丛洪涛;唐永炳;成会明
代理机构	沈阳晨创科技专利代理有限责任公司	代理人	张致仁

摘要

一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法，按0.05-3.0g/ml的浓度，将粒径为1-3um的催化剂颗粒均匀分散在共聚物溶液中，磁力搅拌25-35分钟后形成均匀悬浮乳状液后将其均匀滴在硅片上，等硅片风干后放入退火炉中在400℃-600℃情况下，通H2保温10-30分钟去除残余聚合物，将种有催化剂颗粒的Si片，放入CVD炉中通NH3在800-1100℃情况下，保温20-60分钟，将SiCl4注入炉中，反应结束后大量的花形Si掺杂的AlN纳米针阵列从催化剂上长出。将催化剂‘种子’法和气相掺杂法相结合，通过调控形核位置和择优析出过饱和度等，实现准一维AlN的定位生长(阵列疏密度可控)、垂直于基板的定向生长，实现对准一维AlN晶体结构的同步原位掺杂，有效解决纳米单元在控制、操作和装配上的困难。

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