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多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110096641.8
  • IPC分类号:G01R19/00
  • 申请日期:
    2011-04-18
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块
申请号CN201110096641.8申请日期2011-04-18
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-11-23公开/公告号CN102253264A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R19/00IPC分类号G;0;1;R;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人陈学磊;赵柏秦;郑一阳
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人周国城
摘要
本发明公开了一种多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块,其包括:基片、霍尔芯片、控制处理芯片和多个引脚。控制处理芯片采用硅基集成电路工艺制造,实现信号处理等多种功能。霍尔芯片采用砷化镓等适于制作霍尔元件的半导体材料制造。被测电流通过其中一对引脚流经传感模块并由模块内的霍尔芯片感知其产生的磁场。通过对该磁场的测量即可获取被测电流的信息。该模块既避免了使用铁芯带来的不便,又满足了霍尔芯片与控制处理芯片对材料的不同要求。

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