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以功函数材料层凹陷形成自对准接触结构的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710201420.X
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L29/423
  • 申请日期:
    2017-03-30
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称以功函数材料层凹陷形成自对准接触结构的方法
申请号CN201710201420.X申请日期2017-03-30
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2017-12-01公开/公告号CN107424918A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司当前权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人朴灿柔;谢瑞龙;金勋;成敏圭
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
本发明涉及以功函数材料层凹陷形成自对准接触结构的方法及其产生装置,所揭示的一种方法除了别的以外,还包括在第一介电层中形成第一多个栅极凹穴。在第一多个栅极凹穴中形成功函数材料层。在功函数材料层上方的第一多个栅极凹穴的至少一子集中形成第一导电材料以界定第一多个栅极结构。在第一多个栅极结构其中二者之间的第一介电层中形成第一接触凹陷。在第一接触凹陷中形成第二导电材料。使功函数材料层选择性凹陷至第一导电材料与第二导电材料以界定多个覆盖凹陷。在多个覆盖凹陷中形成覆盖层。

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