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一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010126538.2
  • IPC分类号:H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778
  • 申请日期:
    2020-03-03
  • 申请人:
    厦门市三安集成电路有限公司
著录项信息
专利名称一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法
申请号CN202010126538.2申请日期2020-03-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-09-11公开/公告号CN111653614A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/20IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人厦门市三安集成电路有限公司申请人地址
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门市三安集成电路有限公司当前权利人厦门市三安集成电路有限公司
发明人张辉;林志东;邹鹏辉;刘胜厚;孙希国;蔡仙清
代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司代理人张松亭
摘要
本发明公开了一种GaN基HEMT多角度凹槽栅器件及其制作方法,包括依次层叠的衬底、外延层,外延层上还有单层栅介质层,在栅介质层中设置凹槽,所述凹槽有两侧壁,所述侧壁为多阶连贯斜面,深阶斜面相对于水平面的角度大于上阶斜面相对于水平面的角度;本发明公开的GaN基HEMT器件的多角度凹槽栅器件及其制作方法,可以有效改善栅槽边缘电场的尖峰效应,提高器件可靠性,而且该器件易于金属覆盖,更加提高器件的可靠性,该器件结构可根据需求灵活调整,改变刻蚀时的工艺参数功率、气体及气体流量即可以改变凹槽栅形状,具有较强的适应性。

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