半导体倒装芯片封装及半导体倒装芯片封装的形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010192832.X
IPC分类号：H01L23/16;H01L23/34;H01L21/50
申请日期：
2010-05-27
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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专利名称	半导体倒装芯片封装及半导体倒装芯片封装的形成方法
申请号	CN201010192832.X	申请日期	2010-05-27
法律状态	驳回	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-06-29	公开/公告号	CN102110660A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/16 容器中的填充料或辅助构件，例如定心环（H01L 23/42，H01L 23/552优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	袁从棣
代理机构	北京市德恒律师事务所	代理人	陆鑫;高雪琴

摘要

本发明提供一种半导体倒装芯片封装以及半导体倒装芯片封装的形成方法。在一实施例中，半导体倒装芯片封装包含第一基板，其具有第一表面与位于第一表面相反侧的第二表面；半导体芯片以焊料凸块安装于第一基板的第一表面上；导热固定物安装于第一基板的第一表面上并围绕芯片，以定义空洞区于两者之间；一个或多个模塑复合材料位于空洞区中；以及第二基板，以焊球安装于第一基板的第二表面上。本发明提供的倒装芯片封装具有较佳的热与机械性质，且此倒装芯片封装可应用于元件与系统等级并最佳化设计等级。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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