基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201110191541.3
IPC分类号：G01N21/64
申请日期：
2011-07-08
申请人：
中国科学院理化技术研究所

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著录项信息

专利名称	基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用
申请号	CN201110191541.3	申请日期	2011-07-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-15	公开/公告号	CN102353664A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/64 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/64 荧光；磷光〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;4查看分类表>
申请人	中国科学院理化技术研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村北一条2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院理化技术研究所	当前权利人	中国科学院理化技术研究所
发明人	师文生;刘运宇;苗荣;穆丽璇;佘广为
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	李柏

摘要

本发明属于微米/纳米结构的荧光化学传感器领域，特别涉及一种基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器及应用。本发明是先对基于化学刻蚀方法得到的锗的微米/纳米锥阵列进行表面等离子体处理，使其表面活化；然后再用对pH敏感的氨基荧光素化学共价修饰等离子体处理过的微米/纳米锥阵列表面，得到基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器。本发明的基于锗的微米/纳米锥阵列的荧光pH传感器可用于溶液及细胞内部的pH值的实时检测。

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