无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210134732.0
IPC分类号：G01N21/25
申请日期：
2012-05-03
申请人：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所

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专利名称	无损、快速、准确表征四面体非晶碳薄膜键态结构的方法
申请号	CN201210134732.0	申请日期	2012-05-03
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-19	公开/公告号	CN102680410A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/25 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/25 颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;2;5查看分类表>
申请人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	申请人地址	浙江省宁波市镇海区庄市大道519号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	当前权利人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人	汪爱英;李晓伟;孙丽丽;柯培玲
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	陈英俊

摘要

本发明公开了一种无损、快速、准确表征ta-C膜键态结构的方法。首先，在石英或硅衬底上制备ta-C薄膜，然后利用紫外/可见/近红外分光光度计与光谱型椭偏仪分别测量ta-C薄膜的透射率T与椭偏参数Ψ和Δ，再以该参数为拟合参数，通过建立衬底层、ta-C薄膜层以及表面粗糙层的数学物理模型求解ta-C薄膜厚度df、折射率nf及消光系数kf，最后分别确定具有纯sp2C、纯sp3C键态的材料的光学常数，在EMA近似下采用Bruggeman算法拟合，即得到ta-C薄膜中化学键sp3/sp2的含量。与现有的表征方法相比，本发明具有对样品要求低、表征过程快速简单易行，对样品无损坏，以及表征精度与准确性较高的优点，具有良好的推广应用价值。

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