一种微波CVD法控制多晶金刚石晶粒尺寸的生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN202111224666.1
IPC分类号：C30B28/14;C30B29/04
申请日期：
2021-10-21
申请人：
天津本钻科技有限公司

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专利名称	一种微波CVD法控制多晶金刚石晶粒尺寸的生长方法
申请号	CN202111224666.1	申请日期	2021-10-21
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-26	公开/公告号	CN113699588A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/12 由气态直接制备〔5〕 C30B28/14 用反应气体的化学反应法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;4查看分类表>
申请人	天津本钻科技有限公司	申请人地址	天津市西青区中北镇星光路27号数科园研发楼102 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津本钻科技有限公司	当前权利人	天津本钻科技有限公司
发明人	李庆利;甄西合;赵丽媛;徐悟生;刘畅;朱逢旭;刘得顺;杨春晖
代理机构	天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	栾志超;刘瑞华

摘要

一种微波CVD法控制多晶金刚石晶粒尺寸的生长方法，在沉积过程中，设有N组时间段，并在第一组时间段之后的每一组时间段内连续地通入不同体积比的混合气体；随着时间段的增加，在第N组时间段后通入的所述混合气体中的每一个气体的体积比均高于在第N‑1组时间段后通入的相应气体的体积比；且在第N组时间段后，基于所述混合气体中每一个气体的体积比持续通入所述混合气体，直至生长结束。本发明通过分时间段逐步提高碳源浓度和氧气浓度，以阶梯性地提高金刚石的形核率来控制金刚石晶粒尺寸的大小，从而提升金刚石膜的质量；同时，还可阶梯地提高金刚石膜的生长速率，降低外延层的晶格缺陷，从而可减小生长应力，获得完整无裂纹的金刚石膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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