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超级结深沟槽填充方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910034314.6
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/04
  • 申请日期:
    2019-01-15
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称超级结深沟槽填充方法
申请号CN201910034314.6申请日期2019-01-15
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-05-28公开/公告号CN109817700A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人伍洲
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人戴广志
摘要
本发明公开了一种超级结深沟槽填充方法,在N型外延层与P型外延层之间,形成一层含碳的外延层;所述含碳的外延层,其含碳的浓度为渐变浓度,靠近N型外延的一侧的浓度高,越靠近P型外延则浓度越低,直至接触到P型外延时含碳浓度为零。通过上述方法处理后在进行显结时,显结液与N型外延发生电化学反应,电子沿高导电能力的含碳的外延层流动,加速了N型区域的反应,同时电子不会进入到P型区域,从而保护了P型区域被保护不被腐蚀,从而形成了明显的P/N界限,显结效果明显。

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