一种GaN纳米花的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410257610.X
IPC分类号：C01B21/06;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2014-06-11
申请人：
重庆师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种GaN纳米花的制备方法
申请号	CN201410257610.X	申请日期	2014-06-11
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-08-27	公开/公告号	CN104003360A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B21/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B21/00 氮；其化合物 C01B21/06 氮与金属、硅或硼的二元化合物	IPC分类号	C;0;1;B;2;1;/;0;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	重庆师范大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区天陈路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆师范大学	当前权利人	重庆师范大学
发明人	任霄钰;周平;苑进社
代理机构	北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司	代理人	谢殿武

摘要

本发明公开一种GaN纳米花的制备方法，通过控制镓源与氮源的气体流量比，并使用等离子辅助RF-MBE在顶部具有六棱锥结构的GaN柱上同质外延生长出GaN纳米花结构，制备出形貌均匀、大小可控、质量良好的顶部具有六棱锥的GaN纳米柱，并在六棱柱顶部生长出三瓣间夹角互为120°，次层纳米花结构较之首层或旋转120°或旋转60°的GaN纳米花。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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