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一种提高防静电能力的MOSFET器件及制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110154379.1
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-02-04
  • 申请人:
    捷捷微电(无锡)科技有限公司
著录项信息
专利名称一种提高防静电能力的MOSFET器件及制造方法
申请号CN202110154379.1申请日期2021-02-04
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-18公开/公告号CN112820776A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人捷捷微电(无锡)科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人捷捷微电(无锡)科技有限公司当前权利人捷捷微电(无锡)科技有限公司
发明人殷允超;刘锋;费国芬
代理机构无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙)代理人顾翰林
摘要
本发明涉及一种提高防静电能力的MOSFET器件及制作方法,包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属,栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构,ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽,多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周,栅极串联有多个栅极电阻Rg,栅极电阻Rg包括栅电阻沟槽,且多个栅极电阻沟槽设置在有源区和终端保护区间;本发明在现有带ESD防护结构器件的基础上,在栅极串联了栅极电阻Rg,当栅极受到强静电冲击时,Rg电阻会使流向多晶硅二极管回路,有效保护了MOS的薄栅氧结构,使得原有常规二极管保护回路(PN结对)发挥更大的保护作用,从而提高了器件的抗ESD能力极限,提高了器件的可靠性。

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