由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210006868.3
IPC分类号：H01L35/32;H01L35/02;H01L35/34
申请日期：
2012-01-09
申请人：
天津大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件及制造方法
申请号	CN201210006868.3	申请日期	2012-01-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103199188A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/28 只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕 H01L35/32 按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;2;;;H;0;1;L;3;5;/;0;2;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	王为;庞可可
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	王秀奎

摘要

本发明公开了一种由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件及其制造方法，其中的温差电腿是由薄膜温差电材料一层一层堆砌而成，温差电腿中堆砌的薄膜温差电材料的层数根据对微型温差电器件的性能要求而定，通过各温差电腿之间的电串联或者电并联，形成微型温差电器件。本发明有利于不同温差电性能材料间的相互匹配，发挥不同温差电材料层的优势，可有效增加微型温差电器件中温差电腿的高度，有利于建立起更大的温差。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供