半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910302872.6
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/02
申请日期：
2019-04-16
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201910302872.6	申请日期	2019-04-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-27	公开/公告号	CN111834332A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	熊鹏;陆建刚
代理机构	上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高静;李丽

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括提供基底，所述基底包括电容区；在所述基底上形成介电层；刻蚀所述电容区部分厚度的所述介电层，在所述介电层内形成多个第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁、以及所述电容区的介电层上形成第一电极层；形成保形覆盖所述第一电极层的电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。本发明实施例有利于增加第二电极层和第一电极层之间的有效面积，从而在单位面积的基底上，MIM电容的电容值更大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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