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存储器装置中的低电阻通孔触点

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110308268.1
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/48;H01L27/24;H01L45/00
  • 申请日期:
    2021-03-23
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称存储器装置中的低电阻通孔触点
申请号CN202110308268.1申请日期2021-03-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-28公开/公告号CN113451205A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人朱利奥·阿尔比尼
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人彭晓文
摘要
本申请涉及存储器装置中的低电阻通孔触点。可以形成通孔以从周围的材料突出。可以在阵列区域上方以及在通孔上方形成阻隔材料。在阻隔材料上方形成接入线材料的第一层后,可以应用平坦化工艺直到暴露通孔的顶部。平坦化工艺可以从通孔上方去除接入线材料和阻隔材料,而接入线材料和阻隔材料可以保持在阵列区域上方。接入线材料的第一层可以在平坦化工艺期间保护未去除的阻隔材料。接入线材料的第二层可以形成在接入线材料的第一层上方并且与通孔直接接触。

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