氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法

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专利名称	氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
申请号	CN200410046195.X	申请日期	2004-06-02
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-12-07	公开/公告号	CN1705082
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	王晓亮;胡国新;王军喜;曾一平;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，首先在衬底上生长一层低温氮化镓成核层；然后在低温氮化镓成核层上生长非有意掺杂氮化镓高阻层；接着在非有意掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；最后生长非有意掺杂铝镓氮层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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