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具有超结结构的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510099425.3
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2005-08-31
  • 申请人:
    株式会社电装
著录项信息
专利名称具有超结结构的半导体器件及其制造方法
申请号CN200510099425.3申请日期2005-08-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-03-08公开/公告号CN1744329
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人株式会社电装申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社电装当前权利人株式会社电装
发明人山口仁;牧野友厚;服部佳晋;冈田京子
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英
摘要
一种半导体器件包括:中心区域(12);周边区域(14,26a,26b);和半导体层(26),它包括多对具有第一杂质量的第一区域(25、25a、25b)和具有第二杂质量的第二区域(27、27a、27b)。第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在平面内交替排列。周边区域(14、26a、26b)包括最外周边对以及最内周边对(25a、25b、27a、27b)。最外周边对(25b、27b)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126b),该差值(126b)小于周边区域(14、26a、26b)中的最大差值(126a)。最内周边对(25a、27a)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126a),该差值(126a)大于中心区域(12)中的差值(112)。

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