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使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911000522.0
  • IPC分类号:H01L31/068;H01L31/18
  • 申请日期:
    2016-03-22
  • 申请人:
    太阳能公司
著录项信息
专利名称使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区
申请号CN201911000522.0申请日期2016-03-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-02-21公开/公告号CN110828601A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/068
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人太阳能公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人太阳能公司当前权利人太阳能公司
发明人斯塔凡·韦斯特贝格;蒂莫西·韦德曼;大卫·D·史密斯
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人张娜;顾丽波
摘要
本发明描述了使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中,制造太阳能电池的方法包括通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区,所述轻掺杂区为第一浓度的第一导电类型。所述方法还包括通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区,所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠。所述方法还包括通过离子注入形成第二多个掺杂区,所述第二多个掺杂区具有浓度高于第一浓度的第二导电类型,并且所述第二多个掺杂区与轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠。

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