一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510020963.2
IPC分类号：G01L9/04;G01L1/22
申请日期：
2015-01-15
申请人：
北京大学

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著录项信息

专利名称	一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
申请号	CN201510020963.2	申请日期	2015-01-15
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-13	公开/公告号	CN104614117A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L9/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L9/00 用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的（测量两个或多个压力差值的入G01L 13/00；同时测量两个或多个压力值的入G01L 15/00） G01L9/02 利用改变欧姆电阻值的，例如，使用电位计 G01L9/04 电阻应变仪的	IPC分类号	G;0;1;L;9;/;0;4;;;G;0;1;L;1;/;2;2查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	黄贤;刘鹏;张大成;姜博岩;王玮;何军;田大宇;杨芳;罗葵;李婷;张立
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	俞达成

摘要

本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，其中，压阻式压力计芯片结构包括压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的空腔，该结构的压力传感器相比典型器件结构具有工艺简单、芯片尺寸小的优点；同时采用阳极键合和硅片减薄工艺，该设计加工方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率。

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