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气相生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200580005133.7
IPC分类号：H01L21/203;C23C14/54;C30B23/08
申请日期：
2005-02-15
申请人：
日矿金属株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	气相生长方法
申请号	CN200580005133.7	申请日期	2005-02-15
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-02-28	公开/公告号	CN1922716
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/203 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕 H01L21/203 应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;3;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;3;0;B;2;3;/;0;8查看分类表>
申请人	日矿金属株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	捷客斯金属株式会社	当前权利人	捷客斯金属株式会社
发明人	中村正志;太田优;平野立一
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	浦柏明;刘宗杰

摘要

提供一种在Fe掺杂InP等的半导体衬底上以良好的再现性生长出InAlAs等化合物半导体构成的外延层的气相生长方法。在半导体衬底上生长外延层的气相生长方法中，预先测定室温下的半导体衬底的电阻率，按照室温下的电阻率控制衬底的设定温度以使实际的衬底的表面温度达到所希望的温度而与该半导体衬底的电阻率无关，并生长外延层。

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