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晶圆翘曲程度的检测方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710170746.7
  • IPC分类号:H01L21/66;G01B11/16
  • 申请日期:
    2007-11-21
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称晶圆翘曲程度的检测方法
申请号CN200710170746.7申请日期2007-11-21
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-05-27公开/公告号CN101442018
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;G;0;1;B;1;1;/;1;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人刘明源;何永根
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明公开了一种晶圆翘曲程度的检测方法,涉及半导体领域的检测工艺。该检测方法包括:在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线,在每一检测线上选择若干检测点;在晶圆进行某一制程之前,利用检测装置测出基准距离;进行所述某一制程之后,利用检测装置测出测量距离;测量距离减去对应的基准距离获得每一检测点的差值;若所述差值在允许值范围内,则比较在晶圆同一圆周上的分别位于两检测线上的两检测点所获得的差值;若两差值相同,则说明该晶圆的翘曲不会影响后续制程;若两差值不相同,则说明该晶圆的翘曲影响后续制程。本发明提供的检测方法可以有效、及时检测出晶圆翘曲的是否均匀,避免后续制程中出现对准标记位置异常的现象。

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