金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件

发明专利无效专利

申请号：
CN96118788.3
IPC分类号：--
申请日期：
1996-11-05
申请人：
西安电子科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件
申请号	CN96118788.3	申请日期	1996-11-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	1998-05-13	公开/公告号	CN1181633
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	弓小武;刘玉书;樊昌信
代理机构	陕西电子工业专利事务所	代理人	王品华

摘要

本发明涉及一种功率半导体器件,该器件主要解决现有半导体器件导通电阻大,导通电流密度小的问题。采用在金属氧化物MOS功率场效应管结构中引进寄生的双极晶体管Q,并将两者集成在一起的方案,实现复合型结构的MBMT器件。该器件主要包括有一个n+衬底,一个n－外延层,两个铝连接点6、9,外延层n－上分别设置一个p+和一个p－区,铝接点6连接n+与p+区,铝接点9连接p－区与n+区。p+区的位置设在远离阴极区的地方,使阴极处的n+外围只存在p－区。此器件具有输入阻抗高,高耐压,导通电流大的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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